포스텍-성균관대 공동연구, 구리 요오드 활용 단점 극복

포스텍(총장 김무환)이 투명 디스플레이와 투명 전자회로 등에 활용 가능한 '투명 P형 반도체 소재'를 개발했다고 3일 밝혔다. 노용영 포스텍 화학공학과 교수팀과 김명길 성균관대학교 재료공학 교수팀이 공동연구한 결과다.

투명 전자 소재에는 전자를 이동시키는 N형 반도체와 정공이 이동하는 P형 반도체가 모두 필요하지만 금속산화물 기반 소재 특성상 P형은 전하이동도가 매우 낮은 단점이 있었다.

연구팀은 광전자적 특성을 가지면서 100도 이하의 낮은 공정온도에서 용액공정을 통해 박막을 제조할 수 있는 구리 요오드에 주목했다. 박막 제조에서 다량의 구리 공격자점이 생겨나 트랜지스터로 개발하기 어렵다 알려졌지만 아연 도핑을 이용한 화학적 용액 공정으로 해결했다. 투명한 P형 아연이 도핑된 구리 요오드 반도체를 개발하고 이를 통해 고성능 투명 박막트랜지스터와 전자회로를 만드는데 성공했다.

이외에도 연구팀은 아연이 도핑된 구리 요오드 반도체를 다양한 용매에 용해해 잉크로 제조하는 기술을 개발했다. 연구관계자는 간단한 인쇄공정으로 고성능 투명 P형 트랜지스터를 만들 수있어 제조공정 가격을 낮출 수있을 것으로 기대했다.

노용영 교수는 "이번 연구에서 개발된 투명 P형 반도체 소재는 기존의 산화물 N형 반도체와 함께 투명 디스플레이, 투명 전자회로 및 광전자 소자에 향후 널리 사용될 것으로 기대된다"고 말했다. 

연구내용은 네이처 커뮤니케이션즈에 지난 9월 27일자로 게재됐다. 

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