한마이크로텍은 "전력소자 제작에서 가장 어려운 기술인 열에 의한 신뢰성 및 성능 저하문제를 해결했다" 면서 "새로운 온도보상구조를 갖는 HBT 소자구조 및 공정제조기술을 개발해 국내외에 특허출원했다"고 밝혔다.

이 제품은 전력소자의 고성능, 고집적을 실현해 제품의 크기를 최소화할 수 있고 회로설계의 효율화로 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 기존 AlGaSa(알루미늄갈륨아스나이드)에 비해 수명을 100배 이상 향상시킬 수 있다.

이로써 차세대 이동통신기기 핵심부품인 고주파용 전력소자 InGaP(인듐갈륨포스파이드) HBT(이종접합트랜지스터) 화합물반도체 제조공정이 완성돼 전력소자를 국산화할 수 있게 됐다.

한마이크로텍은 "이 소자를 오는 2002년 상용화가 예상되는 IMT-2000용 뿐만 아니라 블루투스, 홈RF, ITS단말기(DSRC), WLL, 4세대 단말기(SDR) 등에 적용가능해 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 전망했다.

현재 세계 RF반도체시장은 연 35%의 고속성장을 하고 있어 오는 2007년에는 약 7조원에 이를 것으로 보인다. 이중 통신기기에 사용되는 HBT 전력소자는 약 1조6천억원에 이르고 국내시장만도 4천800억원에 이를 것으로 예상된다.

지금까지 우리나라는 AlGaAs HBT 전력소자를 전량 수입에 의존해 왔으나 한마이크로텍이 능동소자를 국산화 함으로써 그동안 겪어 왔던 수급 불안정, 외화 유출, 기술종속 문제를 해결할 수 있을 것으로 보인다.

윤태호 사장은 "이번 전력소자 개발과 공정기술 확보로 세계시장에서 경쟁력 우위를 점할 수 있게 됐다"며 "오는 2002년 초까지 양산체제에 들어설 계획이다"고 말했다.

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