해외 학생 첫 사례…핫전자 새로운 나노디바이스로 정량적 분석 인정 받아

이효선 KAIST 박사과정생.<사진=KAIST 제공>
이효선 KAIST 박사과정생.<사진=KAIST 제공>
KAIST(총장 강성모)는 이효선 EEWS 대학원 박사과정생이 지난 6일 열린 제63회 미국진공학회 국제학회에서 '호프만 장학상'을 수상했다고 15일 밝혔다. 미국인이 아닌 해외 학생으로서는 첫 사례다.

이번 행사는 지난 6일부터 엿새동안 미국 내슈빌에서 열렸으며 세계 각국의 회원 4500여명이 참석했다. 호프만 장학상은 전 미국진공학회장이었던 도로시 M. 호프만 학자의 후원으로 2002년부터 제정됐다. 학회에 참석한 대학원생 중 최고 수준의 연구결과를 보여준 2명을 선정해 시상한다.

이효선 박사과정생은 이번 학회에서 '나노디바이스를 이용한 표면촉매반응에서의 핫전자 검출'이라는 주제 연구를 통해 상을 받았다.

그의 연구는 촉매활성도에 영향을 미치는 핫전자를 새로운 나노디바이스를 이용해 정량적으로 분석하는 기술이다. 연구결과는 나노촉매표면에서의 화학반응 원리의 이해도를 높였다는 평가를 받아 지난 2월 '나노레터스'에 게재됐다.

또 수소 산화반응 중 금속 나노촉매 표면에서 발생한 핫전자 흐름을 검출해 앙케반테 케미(Angewandte chemi)에도 논문이 게재됐다.

이효선 박사과정생은 "세계적으로 권위 있는 학회에서 연구의 우수성을 인정받아 한국인 최초로 수상하게 돼 기쁘다"며 "앞으로도 우수 연구를 통해 한국 과학기술 발전에 기여하겠다"고 말했다.

한편 미국진공학회는 화학, 물리, 생물학 등 다양한 분야의 전문가가 모여 1954년에 설립된 국제학회로 나노과학, 표면과학 등 과학기술분야 발전에 기여해 왔다.
 

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