3차원 반도체 패키징 측정기술 기술이전 공로
기술료 수입규모는 향후 10년간 약 50억원 이상일 것으로 예상된다. 기술이전 한 '실리콘 관통 비아홀(Through Silicon via, TSV) 측정기술'은 반도체의 집적도를 높이기 위해 실리콘 웨이퍼를 아파트처럼 수직으로 쌓아 올린 후, 각 층의 웨이퍼 간 전기신호를 주고받기 위한 수직 도선인 TSV의 깊이를 고속으로 측정하고 검사하는 기술이다.
비아홀은 지름이 매우 좁고 깊어 정밀한 측정기술이 필수적이다. 이번 기술을 통해 그동안 국내에서는 관련 측정기술이 없어 차세대 반도체 시장 진출에 어려움을 겪어왔던 관련 장비 업체에 큰 도움이 될 전망이다.
지나라 기자
nara@hellodd.com
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