이효영 박사 연구팀은 고진공 주사형 터널링 현미경(Scanning Tunneling Microscopy·STM)을 이용해 유기금속 단일분자의 전류 스위칭 시작 메커니즘을 규명했다. STM기술로 금 나노입자를 이용한 수직형 분자소자를 완성해 단일 분자로 이미지화한 후 STM탐침과 금전극 사이에 유기금속 분자를 통과하는 전류를 측정해 결과를 도출한 것이다.

▲이효영 박사 ⓒ2008 HelloDD.com

기존의 유기분자의 스위칭 및 메모리 특성은 액체상에서 전기화학적 산화·환원의 전류 흐름을 간접적인 방법으로 측정해 분자메모리 소자에 적용하기에는 어려움이 있었다. 하지만 이번 연구팀의 연구결과로 고체상 소자에 직접 적용할 수 있는 기술이 개발됐다.

이효영 박사는 "고체상에서 단일 분자의 전기적 특징을 측정해 액체상에서 나타난 유기분자의 산화·환원 전류 흐름 현상과 일치된 스위칭 시작 메커니즘을 밝혔다는 데 의미가 있다"며 "향후 분자메모리 소재 및 소자 개발에 큰 기여를 할 것"이라고 연구 의의를 설명했다.

연구팀은 현재 단일 분자 소자의 전류 스위칭 현상 규명을 통해 메모리 특성 증가를 위한 분자 소재 개발, 비활성 분자메모리 소자 제작에 박차를 가하고 있다. 연구팀의 이번 연구결과는 최근 화학분야 권위지 '미국화학회저널'에 게재됐다.